Formation mechanism of homo-epitaxial morphology on ZnO (000 ± 1) polar surfaces - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue CrystEngComm Année : 2013

Formation mechanism of homo-epitaxial morphology on ZnO (000 ± 1) polar surfaces

Rui Zhu
  • Fonction : Auteur
Qing Zhao
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de synthèse organique
Jun (jim) Xu
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1017411
Georgia Institute of Technology [Atlanta]
Li Chen
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 988343
Anhui Institute of Architectural and Industry
Y. Leprince-Wang
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 832546
Laboratoire de Physique des Matériaux Divisés et des Interfaces
Dapeng Yu
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 854479
Electron Microscopy Laboratory and State Key Laboratory for Microscopic Physics

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Yamin Leprince  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01721052

Soumis le : jeudi 1 mars 2018-16:43:06

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

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Dates et versions

hal-01721052 , version 1 (01-03-2018)

Identifiants

Citer

Rui Zhu, Qing Zhao, Jun (jim) Xu, Li Chen, Y. Leprince-Wang, et al.. Formation mechanism of homo-epitaxial morphology on ZnO (000 ± 1) polar surfaces. CrystEngComm, 2013, 15 (21), ⟨10.1039/c2ce26567b⟩. ⟨hal-01721052⟩

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