Formation mechanism of homo-epitaxial morphology on ZnO (000 ± 1) polar surfaces

Yamin Leprince 1 Rui Zhu Qing Zhao 2 Jun Xu 3 Li Chen 4 Y. Leprince-Wang 5 Dapeng Yu 6
1 ESYCOM - Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes
2 DCSO - Laboratoire de synthèse organique
3 Georgia Institute of Technology (Georgia Tech)
4 Anhui Institute of Architectural and Industry
5 LPMDI - Laboratoire de Physique des Matériaux Divisés et des Interfaces
6 Electron Microscopy Laboratory and State Key Laboratory for Microscopic Physics
Type de document :
Article dans une revue
CrystEngComm, Royal Society of Chemistry, 2013, 15 (21), 〈10.1039/c2ce26567b〉
Liste complète des métadonnées
https://hal-upec-upem.archives-ouvertes.fr/hal-01721052
Contributeur : Yamin Leprince <>
Soumis le : jeudi 1 mars 2018 - 16:43:06
Dernière modification le : jeudi 7 février 2019 - 16:46:24

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Yamin Leprince, Rui Zhu, Qing Zhao, Jun Xu, Li Chen, et al.. Formation mechanism of homo-epitaxial morphology on ZnO (000 ± 1) polar surfaces. CrystEngComm, Royal Society of Chemistry, 2013, 15 (21), 〈10.1039/c2ce26567b〉. 〈hal-01721052〉

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