Study of black silicon obtained by cryogenic plasma etching: approach to achieve the hot spot of a thermoelectric energy harvester

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Microsystem Technologies, Springer Verlag, 2012, 18 (11), pp.1807 - 1814. 〈10.1007/s00542-012-1486-0〉
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Contributeur : Yamin Leprince <>
Soumis le : jeudi 1 mars 2018 - 16:41:53
Dernière modification le : jeudi 7 février 2019 - 17:04:19

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Yamin Leprince, N. Nguyen, D. Abi-Saab, Philippe Basset, E. Richalot, et al.. Study of black silicon obtained by cryogenic plasma etching: approach to achieve the hot spot of a thermoelectric energy harvester. Microsystem Technologies, Springer Verlag, 2012, 18 (11), pp.1807 - 1814. 〈10.1007/s00542-012-1486-0〉. 〈hal-01721049〉

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